Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 182.29 USD
Availability: InStock

Mã của Mouser

863-H007F120M3F2PTHG

Số nhà sản xuất:

NXH007F120M3F2PTHG

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NXH007F120M3F2PTHG Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NXH007F120M3F2PTHG

Có hàng: 23

Tồn kho:: 23 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 23 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$182.29	$182.29
	$167.27	$1,672.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	SiC
Kiểu gắn:	Press Fit
Đóng gói / Vỏ bọc:	PIM-34
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	149 A
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.72 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	353 W
Sê-ri:	NXH007F120M3F2PTHG
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Full Bridge
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	13.2 ns
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	12 ns
Số lượng Kiện Gốc:	20
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Thương hiệu:	EliteSiC
Loại:	Full Bridge
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	121.6 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	37.2 ns
Ff - Điện áp thuận:	5.03 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NXH007F120M3F2PTHG Bảng dữ liệu

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 của onsemi là các mô-đun nguồn có chứa một cầu nối đầy đủ và một điện trở nhiệt trong một gói F1. Các MOSFET này có điện trở nhiệt và chân gài. Mô-đun NXH0x0F120MNF1 cung cấp cả vật liệu giao diện nhiệt (TIM) được áp dụng trước và không có tùy chọn TIM được áp dụng trước. Các mô-đun này phù hợp với biến tần năng lượng mặt trời, nguồn điện liên tục, các trạm sạc xe điện và nguồn công nghiệp. Mô-đun NXH0x0F120MNF1 không chứa chì, không chứa Halogen và tuân thủ RoHS. Mô-đun này có khoảng nhiệt độ lưu trữ từ -40°C đến 150°C và khoảng nhiệt độ hoạt động từ -40°C đến 175°C.