PJQ4439EP_R2_00201

Panjit
241-PJQ4439EPR200201
PJQ4439EP_R2_00201

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 5000   Nhiều: 5000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
$0.191 $955.00
$0.184 $1,840.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Panjit
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-3333-8
P-Channel
1 Channel
30 V
30 A
- 25 V, 25 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
Reel
Nhãn hiệu: Panjit
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 40 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 3 ns
Số lượng Kiện Gốc: 5000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 36 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 7 ns
Mã Bí danh: PJQ4439EP
Đơn vị Khối lượng: 30.495 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.

Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.