Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 155.58 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-RF3L05150CB4

Số nhà sản xuất:

RF3L05150CB4

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

RF MOSFET Transistors 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

RF3L05150CB4 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics RF3L05150CB4

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 100 Nhiều: 100

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 100)
	$155.58	$15,558.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	Transistor MOSFET RF
RoHS:
Cực tính transistor:	N-Channel
Công nghệ:	Si
Id - Dòng cực máng liên tục:	2.5 A
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	28 V
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1 Ohms
Tần số vận hành:	945 MHz
Độ khuếch đại:	16 dB
Công suất đầu ra:	150 W
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 200 C
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	LBB-4
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Số lượng kênh:	1 Channel
Loại sản phẩm:	RF MOSFET Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	100
Danh mục phụ:	MOSFETs
Loại:	RF Power MOSFET
Đơn vị Khối lượng:	2.400 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

RF3L05150CB4 Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.