Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SCS220KE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS220KE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS220KE2HRC11
Price: 14.41 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-SCS220KE2HRC11

Số nhà sản xuất:

SCS220KE2HRC11

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

SiC Schottky Diodes AECQ

Bảng dữ liệu:

SCS220KE2HRC11 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCS220KE2HRC11

Có hàng: 442

Tồn kho:: 442

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 450
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 21

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$14.41	$14.41
	$12.10	$121.00
	$9.67	$967.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247N-3
Cấu hình:	Dual
If - Dòng thuận:	20 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	1.2 kV
Ff - Điện áp thuận:	1.6 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	84 A
Ir - Dòng ngược:	200 uA
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TH
Pd - Tiêu tán nguồn:	270 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược:	1.2 kV
Mã Bí danh:	SCS220KE2HR

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCS220KE2HRC11 Bảng dữ liệu (PDF)

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.