Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SCT4026DEC11

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-SCT4026DEC11

Số nhà sản xuất:

SCT4026DEC11

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC

Bảng dữ liệu:

SCT4026DEC11 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCT4026DEC11

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247N-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	750 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	56 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	26 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.8 V
Qg - Điện tích cực cổng:	94 nC
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	176 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TH
Thời gian giảm:	16 nC
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	16 S
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	MOSFET's
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	39 nC
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	44 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	10 ns
Mã Bí danh:	SCT4026DE

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCT4026DEC11 Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.