Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.72 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-SGT65R65AL

Số nhà sản xuất:

SGT65R65AL

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

SGT65R65AL Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics SGT65R65AL

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 2,978
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 52

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 3000 Nhiều: 3000

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$4.72	$14,160.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerFLAT-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	25 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	65 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	+ 6 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.8 V
Qg - Điện tích cực cổng:	5.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	305 W
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Đóng gói:	Reel
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Sê-ri:	SGT
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN-on-Si
Loại transistor:	E-Mode
Loại:	RF Power MOSFET
Đơn vị Khối lượng:	76 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SGT65R65AL Bảng dữ liệu (PDF)

Application Notes

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.