SI8802DB-T2-E1

Vishay / Siliconix
781-SI8802DB-T2-E1
SI8802DB-T2-E1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Vishay / Siliconix SI8802DB-T2-E1

Có hàng: 5,917

Tồn kho:
5,917 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
2 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$0.65 $0.65
$0.402 $4.02
$0.258 $25.80
$0.196 $98.00
$0.176 $176.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.149 $447.00
$0.136 $816.00
$0.128 $1,152.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
N-Channel
1 Channel
8 V
3.5 A
54 mOhms
- 5 V, 5 V
350 mV
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay / Siliconix
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: US
Thời gian giảm: 7 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 13 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 15 ns
Sê-ri: SI8
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 22 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 5 ns
Đơn vị Khối lượng: 45.104 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541210000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (RDS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (RDS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.