Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

STH65N050DM9-7AG

Name: STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH65N050DM9-7AG
Price: 9 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STH65N050DM9-7AG

Số nhà sản xuất:

STH65N050DM9-7AG

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

STH65N050DM9-7AG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG

Có hàng: 995

Tồn kho:: 995

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 1,000
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 22

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$9.00	$9.00
	$6.17	$61.70
	$4.91	$491.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
	$4.59	$4,590.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	H2PAK-7
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	51 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	50 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	30 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	100 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 50 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	266 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	5 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	7 ns
Sê-ri:	MDmesh M9
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	80 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	29 ns
Đơn vị Khối lượng:	1.540 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STH65N050DM9-7AG Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.