TGF2023-2-01

Qorvo
772-TGF2023-2-01
TGF2023-2-01

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB

Tuổi thọ:
NRND:
Không khuyến khích cho thiết kế mới.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Qorvo TGF2023-2-01

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 50   Nhiều: 50
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$43.13 $2,156.50
$40.44 $4,044.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Qorvo
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
Die
N-Channel
Nhãn hiệu: Qorvo
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: US
Độ khuếch đại: 18 dB
Tần số làm việc tối đa: 18 GHz
Tần số làm việc tối thiểu: 0 Hz
Công suất đầu ra: 6 W
Đóng gói: Gel Pack
Sản phẩm: RF JFET Transistors
Loại sản phẩm: GaN FETs
Sê-ri: TGF2023
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN-on-SiC
Loại transistor: GaN HEMT
Loại: GaN SiC HEMT
Mã Bí danh: 1099624
Đơn vị Khối lượng: 739.600 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0 

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.