Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 4.42 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-6ED2230S12TXUMA1

Số nhà sản xuất:

6ED2230S12TXUMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

Gate Drivers 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Bảng dữ liệu:

6ED2230S12TXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 267

Tồn kho:: 267 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$4.42	$4.42
	$3.30	$33.00
	$2.97	$74.25
	$2.71	$271.00
	$2.53	$632.50
	$2.45	$1,225.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
	$2.35	$2,350.00
	$2.33	$4,660.00
	$2.29	$11,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều hợp cổng
RoHS:
Sản phẩm:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Loại:	High-Side, Low-Side
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	DSO-24
Số mạch điều khiển:	6 Driver
Số lượng đầu ra:	6 Output
Dòng đầu ra:	650 mA
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	13 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	20 V
Cấu hình:	Inverting
Thời gian tăng:	35 ns
Thời gian giảm:	20 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Sê-ri:	Infineon SOI
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	MY
Loại logic:	CMOS
Thời gian trễ khi tắt tối đa:	600 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa:	600 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Dòng cấp nguồn vận hành:	175 uA
Pd - Tiêu tán nguồn:	1.3 W
Loại sản phẩm:	Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa:	900 ns
Tắt:	Shutdown
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Công nghệ:	Si
Thương hiệu:	EiceDRIVER
Mã Bí danh:	6ED2230S12T SP001656578
Đơn vị Khối lượng:	807.300 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

6ED2230S12TXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.