Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

2ED21844S06JXUMA1

Name: Infineon 2ED21844S06JXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-2ED21844S06JXUMA
Price: 2.42 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-2ED21844S06JXUMA

Số nhà sản xuất:

2ED21844S06JXUMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER

Bảng dữ liệu:

2ED21844S06JXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies 2ED21844S06JXUMA1

Có hàng: 7,265

Tồn kho:: 7,265 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 30 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.42	$2.42
	$1.80	$18.00
	$1.64	$41.00
	$1.47	$147.00
	$1.39	$347.50
	$1.34	$670.00
	$1.17	$1,170.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
	$1.11	$2,775.00
	$1.09	$5,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều hợp cổng
RoHS:
Sản phẩm:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Loại:	Half-Bridge
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	DSO-14
Số mạch điều khiển:	1 Driver
Số lượng đầu ra:	1 Output
Dòng đầu ra:	2.5 A
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	10 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	20 V
Thời gian tăng:	15 ns
Thời gian giảm:	15 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	MY
Loại logic:	CMOS, LSTTL
Thời gian trễ khi tắt tối đa:	300 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa:	840 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Dòng cấp nguồn vận hành:	550 uA
Pd - Tiêu tán nguồn:	1 W
Loại sản phẩm:	Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa:	840 ns
Tắt:	Shutdown
Số lượng Kiện Gốc:	2500
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Công nghệ:	Si
Mã Bí danh:	2ED21844S06J SP001710048
Đơn vị Khối lượng:	143.100 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

2ED21844S06JXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Silicon-on-Insulator (SOI) Gate Driver ICs

Infineon Silicon-on-Insulator (SOI) Gate Driver ICs are level-shift high voltage gate driver ICs for IGBTs and MOSFETs. The SOI technology is a high-voltage, level-shift technology providing unique, measurable, and best-in-class advantages. These include integrated bootstrap-diode (BSD) and industry best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes. Each transistor is isolated by buried silicon dioxide, which eliminates the parasitic bipolar transistors that are causing latch-up. This technology can also lower the level-shift power losses to minimize device-switching power dissipation. The advanced process allows monolithic high-voltage and low-voltage circuitry construction with technology-enhanced benefits.

2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers

Infineon Technologies 2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers offer an integrated bootstrap diode (BSD) and silicon-on-insulator (SOI) technology in a DSO-8 or DSO-14 package. The high-voltage, level-shift SOI technology in these 0.7A drivers provides robustness against negative transient voltage spikes and lowers level-shift power losses to minimize device-switching power dissipation. The advanced process enables monolithic high-voltage and low-voltage circuitry construction with technology-enhanced benefits. Infineon Technologies 2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers feature excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on the VS pin.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

Small Home Appliance Solutions

Infineon Small Home Appliance Solutions features a portfolio of products that fit into small home appliance applications. There is a growing trend for style and more efficiency, which designers are addressing with countless variations. Energy-efficient, modern-looking, wipe-clean, and hermetically sealed surfaces are only a few characteristics that a design engineer has to consider and incorporate into new designs. Infineon delivers solutions for several key areas, such as induction heating, as well as appliances that require motor control solutions with energy-efficient, integrated power devices.

2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers

Infineon Technologies 2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers feature silicon-on-insulator (SOI) technology and an integrated bootstrap diode (BSD) in a DSO-8 or DSO-14 package. The series combines high current with high speed to drive MOSFETs and IGBTs with typical 2.5A sink and source current. The high-voltage, level-shift SOI technology provides robustness to protect against negative transient voltage spikes and lowers level-shift power losses to minimize device-switching power dissipation. The advanced process allows monolithic high-voltage and low-voltage circuitry construction with technology-enhanced benefits. Infineon Technologies 2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers offer ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on the VS pin.