Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 516.42 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-CG2H30070F

Số nhà sản xuất:

CG2H30070F

Nsx:

MACOM

Mô tả:

GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Bảng dữ liệu:

CG2H30070F Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về MACOM CG2H30070F

Cảnh báo Vận chuyển:

Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Có hàng: 92

Tồn kho:: 92

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 30
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$516.42	$516.42
	$450.72	$4,507.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	MACOM
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Hạn chế Vận chuyển	Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	440224
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	120 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	12 A
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	- 3.8 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Nhãn hiệu:	MACOM
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	US
Bộ công cụ phát triển:	CG2H30070F-TB1
Độ khuếch đại:	12.4 dB
Tần số làm việc tối đa:	4 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	0 Hz
Công suất đầu ra:	70 W
Đóng gói:	Tray
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	GaN HEMT
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, 2 V
Đơn vị Khối lượng:	10.466 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CG2H30070F Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.