EPC FET GaN

Kết quả: 56
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Cực tính transistor Số lượng kênh Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Id - Dòng cực máng liên tục Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn Qg - Điện tích cực cổng Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Chế độ kênh Thương hiệu
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,500Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12,234Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 8,185Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 11,151Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2,468Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2,928Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1,998Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,019Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 980Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2,500Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 7,500Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4,950Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 1,942Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,460Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 3,858Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 2,434Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 500
: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 12,500
Nhiều: 2,500
: 2,500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 5,000
Nhiều: 1,000
: 1,000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 5,000
Nhiều: 1,000
: 1,000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET