EPC FET GaN

Kết quả: 56
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Cực tính transistor Số lượng kênh Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Id - Dòng cực máng liên tục Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn Qg - Điện tích cực cổng Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Chế độ kênh Thương hiệu
EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 500
: 500

SMD/SMT BGA-75 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 4.9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8 nC, 11 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 500
: 500

SMD/SMT Die 2 Channel 100 V 30 A 6.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.8 nC, 6.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 12,500
Nhiều: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA N - Channel 2 Channel 120 V 3.4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 12,500
Nhiều: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 100 V 5 A 58 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.85 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 500
: 500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 160 V 48 A 8 mOhms - 4 V 2.5 V 11.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 12,500
Nhiều: 2,500
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 2 A 480 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 133 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET