STE145N65M5

STMicroelectronics
511-STE145N65M5
STE145N65M5

Nsx:

Mô tả:
MOSFET Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 390

Tồn kho:
390
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
200
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$29.00 $29.00
$22.40 $224.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun MOSFET
RoHS:  
Si
Screw Mount
ISOTOP
650 V
143 A
15 mOhms
- 25 V, + 25 V
- 55 C
+ 150 C
Mdmesh M5
Bulk
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: MA
Loại sản phẩm: MOSFET Modules
Số lượng Kiện Gốc: 100
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Thương hiệu: MDmesh
Loại: MOSFET
Vr - Điện áp ngược: 650 V
Đơn vị Khối lượng: 28.200 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules. 

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.