IMZA75R008M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA75R008M1HXKS
IMZA75R008M1HXKSA1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Tuổi thọ:
NRND:
Không khuyến khích cho thiết kế mới.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 239

Tồn kho:
239 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$39.79 $39.79
$31.08 $310.80
$27.50 $2,750.00
480 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
163 A
10.6 mOhms
- 5 V, 23 V
5.6 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
517 W
Enhancement
CoolSiC
Tube
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: AT
Thời gian giảm: 16 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 30 ns
Sê-ri: G2
Số lượng Kiện Gốc: 240
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 22 ns
Mã Bí danh: IMZA75R008M1HXKSA1 SP005970686
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.