POWER MOS 8 IGBT

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
Bảng dữ liệu
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube