Panjit IGBT

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Bảng dữ liệu
900Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
Bảng dữ liệu
834Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube