Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Name: Infineon F3L75R12W1H3B11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L75R12W1H3B11B
Price: 35.92 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-F3L75R12W1H3B11B

Số nhà sản xuất:

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

Bảng dữ liệu:

F3L75R12W1H3B11BPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies F3L75R12W1H3B11BPSA1

Có hàng: 30

Tồn kho:: 30 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$35.92	$35.92
	$27.06	$270.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Screw Mount
Cấu hình:	Quad
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.2 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.45 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	75 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	275 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	High Speed IGBT H3
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	AT
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	24
Danh mục phụ:	IGBTs
Thương hiệu:	EasyPACK
Mã Bí danh:	F3L75R12W1H3_B11 SP001355698
Đơn vị Khối lượng:	24 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

1200V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.

EasyPACK™ 1B IGBT Power Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ 1B IGBT Power Modules are a scalable power module solution with a flexible pin grid system perfect for customizing layout and pinout. The packages are without a base plate enabling use in various applications. The Infineon EasyPACK 1B IGBT power modules cover the full power range from 20A up to 100A at 600V/650V/1200V in PIM or Six-Pack configurations. These modules offer a 135W to 275W power dissipation range and operate from -40°C up to +150°C or +175°C.