PowerMESH IGBT

Kết quả: 6
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Tiêu chuẩn
Đóng gói
STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
Bảng dữ liệu
1,509Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 442 V 1.3 V - 12 V, 16 V 40 A 200 W - 55 C + 175 C STGB20NB41LZ AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
3,058Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si IPAK-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 62.5 W - 55 C + 150 C STGD6NC60H-1 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Bảng dữ liệu
1,783Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 15 A 55 W - 65 C + 150 C STGD7NB60S Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Bảng dữ liệu
3,004Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
Bảng dữ liệu
2,568Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.75 V - 25 V, 25 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C STGW30NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel