MT41K64M16TW-107 AAT:J

Micron
340-264442-TRAY
MT41K64M16TW-107 AAT:J

Nsx:

Mô tả:
DRAM DDR3 1Gbit 16 96/144TFBGA 1 AT

Tuổi thọ:
Xác nhận Tình trạng với Nhà máy:
Thông tin tuổi thọ không rõ ràng. Nhận báo giá để kiểm tra số lượng sẵn có của mã phụ tùng này từ nhà sản xuất.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 2

Tồn kho:
2 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
53 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 2 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$8.34 $8.34
$7.58 $75.80

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Micron Technology
Danh mục Sản phẩm: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
64 M x 16
13.91 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 105 C
MT41K
Tray
Nhãn hiệu: Micron
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: TW
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Loại sản phẩm: DRAM
Số lượng Kiện Gốc: 1224
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa: 63 mA
Đơn vị Khối lượng: 2.529 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.