Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

PGA26E19BA-SWEVB006

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

667-PGA26E19BASWEVB6

Số nhà sản xuất:

PGA26E19BA-SWEVB006

Nsx:

Panasonic

Mô tả:

Power Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN Chopper EVB

Bảng dữ liệu:

PGA26E19BA-SWEVB006 Bảng dữ liệu (PDF)

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Panasonic PGA26E19BA-SWEVB006

Sẵn có

Tồn kho:: Không Có sẵn

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Giá (USD)

Yêu cầu Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Panasonic
Danh mục Sản phẩm:	Công cụ phát triển IC quản lý nguồn
RoHS:
Sản phẩm:	Evaluation Boards
Loại:	Gate Driver
Điện áp đầu vào:	400 V
Dụng cụ để đánh giá về:	PGA26E19BA, AN34092B
Sê-ri:	PGA26ExxBA-06
Nhãn hiệu:	Panasonic
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	SG
Mô tả/chức năng:	Chopper evaluation board
Loại sản phẩm:	Power Management IC Development Tools
Số lượng Kiện Gốc:	5
Danh mục phụ:	Development Tools
Thương hiệu:	X-GaN
Đơn vị Khối lượng:	495.015 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

PGA26E19BA-SWEVB006 Bảng dữ liệu (PDF)

Technical Resources

Chopper (PDF)

CNHTS:: 8543709990
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8473302000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

Giải pháp nguồn X-GaN

Panasonic 600V Gallium Nitride (X-GaN) là vật liệu bán dẫn khe vùng rộng rất cứng, ổn định về mặt cơ học với khả năng chịu nhiệt cao và độ dẫn nhiệt cao. Ở dạng tinh khiết, nó chống nứt và có thể lắng đọng trong lớp màng mỏng trên Sapphire (AL2O3) hoặc Silicon Carbide (SiC), bất chấp sự không phù hợp ở các hằng số mạng của chúng. X-GaN có thể được pha tạp với Silicon (Si) hoặc với Oxy thành n-type và với Magiê (Mg) để thành p-type; tuy nhiên, các nguyên tử Si và Mg sẽ thay đổi cách các tinh thể X-GaN phát triển, gây ra các ứng suất kéo và khiến chúng trở nên giòn.

PGA26E19BA X-GaN Chopper Evaluation Board

Panasonic PGA26E19BA6 X-GaN Chopper Evaluation Board is designed using an X-GaN driver that measures the high-speed switching characteristics of X-GaN power transistors during turn-on and turn-off. This evaluation board operates with 400V input voltage, 12V supply voltage, and 5V external clock voltage. The PGA26E19BA evaluation board comes with an on-resistance value of 190mΩ. Panasonic PGA26E19BA6 X-GaN Chopper Evaluation Board is ideal for X-GaN power FET characterization and flyback topology.

SẢN PHẨM NỔI BẬT

PANASONIC

Xem Tất cả Sản phẩm Mới nhất từ Panasonic

PGA26E19BA-SWEVB006

Nsx: Panasonic

Mô tả: Power Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN Chopper EVB

Sẵn có

Giá (USD)

Thông số kỹ thuật

Tài liệu (2)

Bảng dữ liệu

Technical Resources

Tuân thủ sản phẩm

Thêm Thông tin

Giải pháp nguồn X-GaN

PGA26E19BA X-GaN Chopper Evaluation Board

SẢN PHẨM NỔI BẬT PANASONIC

QuickView

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.

Nsx:

Panasonic

Mô tả:

Power Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN Chopper EVB

SẢN PHẨM NỔI BẬT

PANASONIC