STP11NM60FD Sê-ri MOSFET

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Đóng gói
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
Bảng dữ liệu
536Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
Bảng dữ liệu
787Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 52 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel