GS82583ET18GK Sê-ri SRAM

Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ
Tổ chức
Thời gian truy cập
Tần số đồng hồ tối đa
Loại giao diện
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Dòng cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Đóng gói
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 500 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 810 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 870 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 400 ps 625 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 960 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 675 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 500 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 810 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 870 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 625 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 960 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 16M x 18 288M
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 35 Tuần
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

288 Mbit 16 M x 18 675 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.02 A 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray