GS84036CB Sê-ri SRAM

Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ
Tổ chức
Thời gian truy cập
Tần số đồng hồ tối đa
Loại giao diện
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Dòng cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Đóng gói
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 135 mA, 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray